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Samsung inicia la producción de memoria V-NAND Flash con diseño 3D

Rompiendo la limitante de densidad del diseño planar (2D)

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La industria de memoria NAND Flash ha comenzado la transición a nodos más pequeños de 1xnm como una forma para reducir costos de fabricación, expandir su densidad, y poder satisfacer la alta demanda que está teniendo en dispositivos móviles, pero hay un problema. La tecnología planar (2D) que se viene usando para su desarrollo desde hace 40 años está llegando a su limite, haciendo que sea muy costoso e impráctico su desarrollo. Una alternativa que ha planteado Samsung es la denominada Tecnología Vertical de memoria NAND Flash (V-NAND), la cual han anunciando como la primera con diseño tridimensional que entra en etapa de producción en masa.

La denominada Tecnología 3D de memoria V-NAND es producto de 10 años de investigación en memoria 3D y está pensada para ser usada en toda clase de productos tanto de rango consumidor como enterprise, como pueden ser almacenamiento embebido y SSDs. El secreto de esta memoria radica en que se utiliza la Tecnología CTF (Charge Trap Flash) para crear una estructura vertical en la que se apilan capas de celdas conectadas mediante una interconexión de arreglos 3D.

Jeong Hyuk Choi, Senior Vice presidente, de productos flash y tecnología, en Samsung Electronics, comentó:

“La nueva tecnología V-NAND Flash en 3D es el resultado de años de esfuerzos de nuestros empleados por impulsar formas de pensar más allá de lo convencional y perseguir maneras más innovadoras para superar las limitaciones en el diseño de tecnología de semiconductor para memoria,”

“Tas la primera producción en masada de memoria Vertical NAND en 3D, continuaremos introduciendo productos V-NAND en 3D con mayor rendimiento y mayor densidad, lo cual contribuirá a un mayor crecimiento global en la industria de memoria.”

Al momento, la interconexión de arreglos 3D de la memoria V-NAND permite conectar hasta 24 capas de celdas verticalmente, dando lugar a una densidad máxima de 128 gigabit (Gb) por chip. De acuerdo a Samsung, este diseño permitirá entregar hasta 10 veces mayor confiabilidad, hasta dos veces mayor rendimiento, y un escalamiento del doble con respecto al diseño tradicional de 20nm.

Samsung-NAND-flash-3D-vertical-chips

Gregory Wong, Fundador y analista principal de la firma Forward Insights, señala:

“Actualmente es a 24. La siguiente generación podría ser a 32. Eso va aumentar.”

“El verdadero estado permanece idéntico, pero se podrá seguir agregando niveles. Y, al agregar niveles, podrás reducir costos por bit debido a que hay más celdas de memoria, pero el verdadero estado para almacenarlas no aumentará.”

Lamentablemente, aún no se sabe cuando veremos la memoria V-NAND en el mercado. Pero de acuerdo a lo que ha expresado Samsung, la compañía ya tiene más de 300 patentes de tecnologías de memoria 3D alrededor del mundo. Además, se ha revelado que este es apenas el primer paso para algo aún más tentador como el desarrollo de chips NAND con densidad de un Terabit (Tb). Si nos ponemos a visualizar la importancia del mercado de la memoria NAND Flash, se habla que del 2013 al 2016 se espera un crecimiento del 11% que podría representar ganancias por $30.8 mi millones de dólares.

Fuente: TMCNET

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